MRAM正在開發(fā)支持人工智能、物聯(lián)網(wǎng)和先進(jìn)網(wǎng)絡(luò)技術(shù)的下一代嵌入式設(shè)備；在數(shù)據(jù)中心、邊緣和端點。此外獨立MRAM已經(jīng)成為許多應(yīng)用的重要非易失性緩存和緩沖區(qū)。為所有這些應(yīng)用提供MRAM需要在生產(chǎn)環(huán)境中進(jìn)行良好的MTJ設(shè)計和測試。Everspin在磁存儲器設(shè)計，制造和交付到相關(guān)應(yīng)用中的知識和經(jīng)驗在半導(dǎo)體行業(yè)中是獨一無二的，為汽車、工業(yè)和軍事。云存儲等行業(yè)等提供了大量可靠優(yōu)質(zhì)的MRAM，STT-MRAM存儲芯片。Everspin一級代理商接下來介紹Everspin MRAM器件的測試。
 
ISI在MTJ器件的設(shè)計和工廠測試方面擁有長期經(jīng)驗，能夠滿足MRAM的開發(fā)和生產(chǎn)測試需求。他們也在創(chuàng)造新的測試和生產(chǎn)工具來幫助MRAM項目取得成功。看看他們?yōu)槭裁磻?yīng)該成為MRAM測試伙伴。
 
除了用于硬盤磁頭生產(chǎn)測試的專業(yè)產(chǎn)品之外，ISI是第一家為MRAM行業(yè)制造晶圓級測試器的公司，并且可能擁有最大的STT-MRAM晶圓級測試器安裝基地。他們在硬盤磁頭行業(yè)的長期經(jīng)驗使他們在MTJ測試方面擁有經(jīng)驗，這是他們帶給新興的MRAM測試行業(yè)的經(jīng)驗。
 
WLA3000 STT-MRAM晶圓級分析儀，即第三代脈沖發(fā)生器，配有其專有的探針卡接口，可產(chǎn)生低至5納秒的可編程脈沖，在脈沖發(fā)生后，能夠在原位對多芯片組件進(jìn)行超快測量。4點和2點靜脈/右心室測試儀可以提供脈沖和DC測量，最高可達(dá)平面內(nèi)的3K奧斯特和垂直于平面的5K奧斯特。機(jī)器能夠在360度的視場角和高達(dá)150度的溫度下工作，帶有熱卡盤選項。即將推出的第四代系統(tǒng)包括對這些規(guī)格的進(jìn)一步增強，包括脈沖寬度低至2nS和垂直場高達(dá)15K奧斯特
 
此外它們可以提供薄膜可靠性測試，包括擊穿電壓、耐久性和寫入概率以及讀取干擾測量，并且它們的熱鐵磁諧振(FMR)特性(使用連接到其射頻探針組件的射頻前置放大器)可以用于過程控制以及器件開發(fā)。圖1顯示了美國工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)學(xué)會晶圓級準(zhǔn)靜態(tài)測試儀。

   
ISI可以用EG、TEL和Accretech探測器(如上圖所示)設(shè)置測試，并且可以為幾乎任何其他探測器進(jìn)行配置。他們的電子設(shè)備和測試軟件獨立于晶片探測器，他們的測試頭可以安裝在任何探測器上。一個簡單的懸臂探針卡可以用來在200或300毫米的晶片上提供多器件測試能力。
 
ISI的方法是開發(fā)他們自己的專有前端電路，在MTJs上執(zhí)行脈沖和測量操作。圖2顯示了專有ISI脈沖通道的脈沖樣本，幾乎沒有過沖。
   
這一專有設(shè)計不僅為MRAM行業(yè)提供了特定的測試功能，而且是該行業(yè)獨有的，ISI的完全集成前端提供了極快的寫/讀循環(huán)測量，從而實現(xiàn)了極高的測量性能，如誤碼率。
 
圖2顯示了脈沖幅度的誤差概率。對于曲線上的每個數(shù)據(jù)點，這些測試被配置為運行105個寫/復(fù)位周期，但是整個曲線的總測試時間仍然低于3.2s。

  ISI對未來的MRAM測試和其他生產(chǎn)工具有一個積極的路線圖。正在研發(fā)第四代ISI脈沖器模塊，并正在為下一代自旋軌道轉(zhuǎn)矩(SOT)設(shè)備開發(fā)外部脈沖器集成，以取代快速sram存儲器。


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