Everspin了解工業(yè)市場(chǎng)客戶的獨(dú)特需求，自動(dòng)化控制器在長(zhǎng)期惡劣的工業(yè)環(huán)境中，諸如長(zhǎng)期數(shù)據(jù)保留和極端溫度支持之類的功能非常重要。通過(guò)避免使用其他非易失性存儲(chǔ)技術(shù)所需的糾錯(cuò)碼和損耗均衡方案，該技術(shù)的固有耐久性簡(jiǎn)化并加快了產(chǎn)品開發(fā)。
 
Everspin的16兆位MR4A16BMA35 MRAM專為要求極高數(shù)據(jù)可靠性和速度的應(yīng)用而設(shè)計(jì)，它具有市場(chǎng)上最快的非易失性存儲(chǔ)器，對(duì)稱的讀寫性能和無(wú)限的耐用性，從而使系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員受益。這些存儲(chǔ)器功能可確保自動(dòng)化設(shè)計(jì)人員每次斷電時(shí)都可以確定性和安全地保留過(guò)程數(shù)據(jù)。除了性能之外，該技術(shù)還允許無(wú)電池的生態(tài)設(shè)計(jì)。
 
Everspin MRAM MR4A16BMA3技術(shù)具高可靠性、快速讀/寫、即時(shí)開啟、非揮發(fā)性、和無(wú)限次擦除等特性。Everspin的產(chǎn)品組合包括提供BGA和TSOP兩種可選封裝、容量從256Kb到16Mb的8位和16位并行I/O產(chǎn)品，以及采用DFN封裝、容量從256Kb到1Mb的串行I/O產(chǎn)品。

 
MR4A16BMA35是一款3.3V、并行I/O非揮發(fā)RAM，其超快的存取周期僅為35ns，并允許無(wú)限制的讀/寫循環(huán)。在每次寫入后，資料能持續(xù)保存超過(guò)20年。與其它存儲(chǔ)器不同，MRAM還可免除因宇宙射線所產(chǎn)生的軟錯(cuò)誤率(SER, soft error rate)。這款16Mb MRAM由位寬為16的1,048,576個(gè)字組成。引腳和功能可與異步SRAM兼容。MR4A16B目標(biāo)應(yīng)用為工業(yè)自動(dòng)化、機(jī)器人、網(wǎng)絡(luò)和數(shù)據(jù)儲(chǔ)存、多功能打印機(jī)、以及其它許多傳統(tǒng)受限于需采用SRAM設(shè)計(jì)的系統(tǒng)。Everspin代理支持技術(shù)支持及產(chǎn)品解決方案。
 
MR4A16B提供小尺寸48引腳球柵陣列(BGA)封裝和54引腳的薄形小尺寸(TSOPII)封裝兩種形式。這些封裝均能與相似的低功率SRAM產(chǎn)品和其它非揮發(fā)RAM產(chǎn)品兼容。16Mb MRAM系列包括商業(yè)級(jí)(0℃至+70℃)和工業(yè)級(jí)(-40℃至+85℃)兩種溫度范圍。


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