Everspin專注于制造MRAM和STT-MRAM的翹楚，其市場和應用領(lǐng)域涉及數(shù)據(jù)持久性和完整性，低延遲和安全性至關(guān)重要。為云存儲，能源，工業(yè)，汽車和運輸市場提供了上億只MRAM和STT-MRAM存儲器芯片。Everspin總代理宇芯電子可提供技術(shù)支持和產(chǎn)品解決方案。

MRAM可能是當今最有前途的下一代非易失性存儲技術(shù)。Toggle MRAM和STT-MRAM已經(jīng)進入市場，在許多應用中獲得了市場份額。下一代MRAM技術(shù)（例如SOT-MRAM）甚至可以以更高的密度替換最快的SRAM應用。
     
由于器件架構(gòu)相對復雜，因此Everspin MRAM的生產(chǎn)過程分為多個階段，在CMOS背板的頂部制作了一個磁性單元（前板）。器件的測量和表征非常重要，依賴于測量工具的MRAM存儲器的生產(chǎn)專門用于MRAM和STT-MRAM測量。
 
Integral Solutions Inc（ISI）生產(chǎn)用于MRAM開發(fā)和生產(chǎn)的準靜態(tài)測試儀。ISI是第一家為MRAM行業(yè)制造晶圓級測試儀的公司，并且可能擁有最大的STT-MRAM晶圓級測試儀安裝基礎(chǔ)。該公司在HDD磁頭行業(yè)的長期經(jīng)驗為他們帶來了MTJ測試經(jīng)驗，這些經(jīng)驗帶給了新興的MRAM測試行業(yè)。


Everspin串口MRAM

型號	容量	位寬	電壓(V)	溫度	封裝	MOQ /托盤	MOQ /卷帶
MR25H40CDC	4Mb	512Kx8	3.3V	-40℃to+85℃	8-DFN	570	4,000
MR20H40CDF	4Mb	512Kx8	3.3V	-40℃ to +85℃	8-DFN sf	570	4,000
MR25H40CDF	4Mb	512Kx8	3.3V	-40 ℃to +85℃	8-DFN sf	570	4,000
MR25H40MDF	4Mb	512Kx8	3.3V	-40℃ to +125℃	8-DFN sf	570	4,000
MR25H10CDC	1Mb	128Kx8	3.3V	-40℃ to +85℃	8-DFN	570	4,000
MR25H10MDC	1Mb	128Kx8	3.3V	-40℃ to +125℃	8-DFN	570	4,000
MR25H10CDF	1Mb	128Kx8	3.3V	-40℃ to +85℃	8-DFN sf	570	4,000
MR25H10MDF	1Mb	128Kx8	3.3V	-40℃ to +125℃	8-DFN sf	570	4,000
MR25H256CDC	256Kb	32Kx8	3.3V	-40℃ to +85℃	8-DFN	570	4,000
MR25H256MDC	256Kb	32Kx8	3.3V	-40℃ to +125℃	8-DFN	570	4,000
MR25H256CDF	256Kb	32Kx8	3.3V	-40℃ to +85℃	8-DFN sf	570	4,000
MR25H256MDF	256Kb	32Kx8	3.3V	-40℃ to +125℃	8-DFN sf	570	4,000

 
 
關(guān)鍵詞：MRAM   Everspin MRAM