存儲(chǔ)器在電子系統(tǒng)中無(wú)處不在，而且用途廣泛：從存儲(chǔ)數(shù)據(jù)到緩存、緩沖，以及最近開發(fā)出的（存內(nèi)）計(jì)算。存儲(chǔ)器的種類非常多：從發(fā)熱的快速易失性片上SRAM緩存，到低溫的慢速高能耗非易失性存儲(chǔ)閃存，再到多層片外DRAM緩沖器和工作存儲(chǔ)模塊。
 
然而過去數(shù)十年里有太多的技術(shù)承諾還沒有實(shí)現(xiàn)，人們卻又開始挑戰(zhàn)更新的存儲(chǔ)器技術(shù)，似乎已準(zhǔn)備好躋身最高級(jí)別的存儲(chǔ)器競(jìng)爭(zhēng)中。微控制器中使用的嵌入式MRAM模塊和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)芯片中的獨(dú)立XPoint存儲(chǔ)器模塊現(xiàn)如今都屬于最前沿的技術(shù)，但只有時(shí)間才能證明哪些技術(shù)和應(yīng)用會(huì)成功，哪些只不過是白忙活。
 
二十多年來(lái)，MRAM的倡導(dǎo)者一直相信，如果有一種能夠在存儲(chǔ)器的各層上使用的先進(jìn)技術(shù)，就可以建立一個(gè)更好的（存儲(chǔ)）世界。這項(xiàng)技術(shù)的開發(fā)者像是在豪賭，在經(jīng)歷了許多曲折和公關(guān)活動(dòng)之后，業(yè)界似乎終于開始進(jìn)行產(chǎn)品研發(fā)了。STT MRAM這種產(chǎn)品現(xiàn)已成為業(yè)界公認(rèn)的嵌入式存儲(chǔ)器選擇方案，取代了作為先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)的嵌入式閃存。與獨(dú)立存儲(chǔ)器所需的尖端技術(shù)相比，具有先進(jìn)特征尺寸的嵌入式存儲(chǔ)器更容易進(jìn)入市場(chǎng)，所有的龍頭代工廠現(xiàn)在都加入到STT潮流中。盡管實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)還需假以時(shí)日，但MRAM成為主流已不再是“能否”，而是“何時(shí)”。


關(guān)鍵詞： MRAM,STT-MRAM

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