磁阻式隨機(jī)存儲器(MRAM)是一種新型存儲器,其優(yōu)點(diǎn)有讀取速度快和集成度高及非揮發(fā)性等。目前許多研究主要是致力于將MRAM存儲器運(yùn)用于計算機(jī)存儲系統(tǒng)中。MRAM因具有許多優(yōu)點(diǎn),有取代SRAM和DRAM的潛能。用MTJ存儲單元構(gòu)建的MRAM存儲器可以用作高速緩存。
 
高速緩存可以用與SRAM幾乎相同的方式來組建。MRAM與SRAM具有相似的電路結(jié)構(gòu)(見圖1)。
 
它們都由字線來選擇目標(biāo)操作單元,由位線來傳輸數(shù)據(jù)。SRAM兩種不同的位線連接到每一個單元,而MRAM只有一條位線,可以簡單的把位線與源線的結(jié)合看做替代。因?yàn)榛?a href="http://m.flgmsolar.com/list-14-1.html" target="_blank">sram芯片的讀出放大器不能直接用于MRAM存儲器,故MRAM需要一個參考信號，通常由一個偽MRAM單元提供,其面積可以忽略。
   
因此一個大型MRAM陣列被劃分成若干個小型陣列。小型陣列可采用傳統(tǒng)高速緩存結(jié)構(gòu),由H-tree連接起來,其行列數(shù)目和尺寸可以使用CACTI工具來進(jìn)行優(yōu)化。
 
 
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