富士通FRAM存儲(chǔ)器MB85RC04V是一種被稱(chēng)為FRAM（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）的存儲(chǔ)芯片，配置為512×8位，通過(guò)鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元。與SRAM不同，MB85RC04V無(wú)需備用電池即可保持?jǐn)?shù)據(jù)。MB85RC04V非易失性存儲(chǔ)單元讀/寫(xiě)的耐久性進(jìn)一步提升，至少為10¹²（一萬(wàn)億）次，明顯超過(guò)FLASH和E²PROM。與FLASH或E²PROM不同，MB85RC04V在寫(xiě)入存儲(chǔ)器后無(wú)需輪詢(xún)序列。
 
二線(xiàn)串行接口：通過(guò)兩個(gè)端口實(shí)現(xiàn)完全可控：串行時(shí)鐘(SCL)和串行數(shù)據(jù)(SDA)。，最大工作頻率1MHz，讀/寫(xiě)耐久性：1012（一萬(wàn)億）次/字節(jié)，數(shù)據(jù)保持：10年(+85℃),95年(+55℃),200年以上(+35℃)，工作電源電壓：3.0V到5.5V，低功耗工作電流90μA（1MHz下的典型值）
待機(jī)電流5μA（典型值），工作環(huán)境溫度范圍−40℃到+85℃，封裝采用8引腳塑料SOP(FPT-8P-M02)。
 
I2C（內(nèi)置集成電路）
MB85RC04V鐵電存儲(chǔ)器支持二線(xiàn)串行接口的I2C總線(xiàn)，并作為從器件運(yùn)行。I2C總線(xiàn)定義了通訊中的“主器件”和“從”器件，起始控制由主器件發(fā)出。此外，通過(guò)I2C總線(xiàn)，可在合用線(xiàn)配置中將一個(gè)主器件與多個(gè)從器件相連。在這種情況下，必須為從器件分配唯一的器件地址。主器件在通過(guò)地址指定要通訊的從器件之后開(kāi)始通訊。
 
I2C通訊協(xié)議
I2C總線(xiàn)是二線(xiàn)串行接口，使用雙向數(shù)據(jù)總線(xiàn)(SDA)和串行時(shí)鐘(SCL)。數(shù)據(jù)傳輸只能由主器件發(fā)起，并由其提供同步串行時(shí)鐘。SDA信號(hào)應(yīng)在SCL為“低”電平時(shí)跳變。但有一種例外情況，當(dāng)起始和停止通訊序列時(shí)，允許SDA在SCL為“高”電平時(shí)跳變。
•起始條件
要開(kāi)始I2C總線(xiàn)的讀或?qū)懖僮?，?dāng)SCL輸入為“高”電平時(shí)，將SDA輸入從“高”電平更改為“低”電平。
•停止條件
要停止I2C總線(xiàn)通訊，當(dāng)SCL輸入為“高”電平時(shí)，將SDA輸入從“低”電平更改為“高”電平。在讀操作中，輸入停止條件完成讀操作并進(jìn)入等待狀態(tài)。在寫(xiě)操作中，輸入停止條件完成輸入重寫(xiě)數(shù)據(jù)并進(jìn)入等待狀態(tài)。

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