賽普拉斯半導體提供全面的串行和并行FRAM（鐵電RAM）非易失性存儲器產(chǎn)品組合，可在斷電時立即捕獲和保存關(guān)鍵數(shù)據(jù)。在關(guān)鍵任務數(shù)據(jù)記錄應用中，例如需要高可靠性控制和吞吐量的工廠車間的高性能可編程邏輯控制器(PLC)，或以低功耗設(shè)計的植入人體生命的患者監(jiān)護設(shè)備，小尺寸內(nèi)存，賽普拉斯的FRAM提供即時非易失性和幾乎無限的耐用性，而不會影響速度或能源效率。
 
FRAM技術(shù)和優(yōu)勢
Cypress FRAM基于鐵電技術(shù)構(gòu)建。FRAM芯片包含一層鋯鈦酸鉛鐵電薄膜，通常稱為PZT。PZT中的原子在電場中改變極性，從而產(chǎn)生高能效的二進制開關(guān)。然而PZT最重要的方面是它不受電源中斷的影響，使FRAM成為可靠的非易失性存儲器。FRAM的基本工作原理及其獨特的存儲單元架構(gòu)賦予了該技術(shù)與EEPROM或閃存等競爭性存儲技術(shù)不同的特定優(yōu)勢。
 
無延遲寫入
•以總線速度將數(shù)據(jù)寫入存儲單元,無需浸泡時間
高耐力
•具有超過100萬億(10¹⁴)個寫入周期的浮柵存儲器壽命更長
高效節(jié)能
•消耗的能量比EEPROM少200倍，比NOR閃存少3,000倍
耐輻射
•不受輻射弓|起的軟錯誤的影響，這些錯誤會在內(nèi)存中產(chǎn)生位翻轉(zhuǎn)
 
FRAM的好處
源自浮柵技術(shù)的傳統(tǒng)可寫非易失性存儲器使用電荷泵來開發(fā)片上高壓（10V或更高），以迫使載流子通過柵氧化層。因此寫入延遲長，寫入功率高，寫入操作實際上對存儲單元具有破壞性。浮柵器件無法支持超過106次訪問的寫入。從這個角度來看，使用EEPROM以1個樣本/秒記錄數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)記錄器將在12天內(nèi)磨損。相比之下，3VFRAM產(chǎn)品提供幾乎無限的耐用性（10¹⁴次訪問）。
 
FRAM在寫入速度和功率方面都遠遠優(yōu)于浮柵器件。對于時鐘頻率為20MHz的典型串行EEPROM，寫入256位（32字節(jié)頁面緩沖區(qū)）需要5毫秒，寫入整個64Kb需要1283.6毫秒。對于等效的FRAM，256位僅需14µs，寫入整個64Kb僅需3.25ms。此外，將64Kb寫入EEPROM需要3900µJ，而將64Kb寫入F-RAM需要17µJ，相差超過229倍。
 
總之：
•讀訪問時間=寫訪問時間<100ns
•讀能量=寫能量
•高寫入耐久性10¹⁴
 
鐵電隨機存取存儲器FRAM是真正的非易失性RAM，因為它結(jié)合了RAM和非易失性存儲器的優(yōu)點。相對于閃存/EEPROM的寫入優(yōu)勢和非易失性使其非常適合在斷電情況下存儲數(shù)據(jù)。
 
 
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