MRAM是一種使用電子自旋來存儲(chǔ)信息的存儲(chǔ)技術(shù)。MRAM具有成為通用存儲(chǔ)器的潛力-能夠?qū)⒋鎯?chǔ)存儲(chǔ)器的密度與SRAM的速度結(jié)合在一起，同時(shí)始終保持非易失性和高能效。MRAM可以抵抗高輻射，可以在極端溫度條件下運(yùn)行，并且可以防篡改。這使得MRAM適用于汽車，工業(yè)，軍事和太空應(yīng)用，這些對(duì)于MRAM開發(fā)人員來說是重要的部分。

那么MRAM的優(yōu)勢(shì)究竟有哪些呢?下面我們分幾點(diǎn)一起來看看:
 
首先，MRAM是非易失性存儲(chǔ)器，也就是斷電后MRAM依舊可以保存數(shù)據(jù)。這一點(diǎn)和之前介紹的NRAM類似。
 
其次，MRAM不存在讀取磨損的問題。由于MRAM的原理只涉及磁場(chǎng)改變方向等，不像閃存顆粒那樣需要一定數(shù)量的電子才能工作，并且電子存在丟失可能，因此壽命理論上來說是無限的，磁場(chǎng)的穩(wěn)定性要比電場(chǎng)好很多。
 
第三，MRAM的功耗很低。由于MRAM在寫入數(shù)據(jù)時(shí)只需要反轉(zhuǎn)磁場(chǎng)即可，因此所需功耗能夠控制在比較低的范圍。
 
第四，MRAM抗輻射效應(yīng)出眾。由于MRAM使用的是金屬、又是磁存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)，因此在一般的輻射下能夠穩(wěn)定工作，比DRAM、SRAM、NAND等強(qiáng)很多。
 
第五，MRAM讀寫速度比較高。目前MRAM產(chǎn)品的讀寫速度已經(jīng)超過了DRAM,距離sram還有一定差距。不過隨著工藝的進(jìn)步和結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的提高，MRAM有望讓速度再上一個(gè)臺(tái)階。
 
在這五大優(yōu)勢(shì)背后，MRAM也存在一些問題。比如目前制造和設(shè)計(jì)都比較困難，材料上還有進(jìn)一步拓展的空間，目前價(jià)格也比較昂貴，尚未經(jīng)過大規(guī)模量產(chǎn)等。耐久性方面，MRAM由于使用的是磁場(chǎng)來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，因此在外界磁場(chǎng)干擾、高溫等環(huán)境下是否能穩(wěn)定、長(zhǎng)久的保存數(shù)據(jù)，還有待檢驗(yàn)。

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