一種稱為Universal Selector的新創(chuàng)新技術(shù)，它將顯著提高現(xiàn)有和新興存儲(chǔ)技術(shù)（包括MRAM，DRAM和ReRAM）的功能，因?yàn)樗鼘⑻峁┮环N新穎的方式設(shè)計(jì)垂直單元晶體管，以實(shí)現(xiàn)更高水平的性能和可靠性和密度。
 
自旋存儲(chǔ)器的通用選擇器是一種選擇性的垂直外延單元晶體管，其溝道的摻雜濃度足夠低，可以完全耗盡。對(duì)于MRAM存儲(chǔ)器，通用選擇器使制造商能夠創(chuàng)建6F2–10F2（6F2–10F2）的1T1R存儲(chǔ)位單元，從而使制造商可以在同一面積內(nèi)嵌入多達(dá)五倍的存儲(chǔ)器，而所需的晶片處理成本卻最低。
 
MRAM存儲(chǔ)器可以抵抗高輻射，也可以在極端溫度條件下運(yùn)行，并且可以防篡改。這使得MRAM存儲(chǔ)器適用于汽車和工業(yè)，軍事和太空應(yīng)用，這些對(duì)于MRAM存儲(chǔ)器開發(fā)人員來(lái)說(shuō)是重要的部分。
 
通用選擇器是第一個(gè)真正的行業(yè)解決方案，可解決行錘干擾的DRAM問(wèn)題，同時(shí)降低了軟錯(cuò)誤率（SER）和泄漏。
 
完全耗盡的單元晶體管以及其他獨(dú)特的工藝和器件功能會(huì)導(dǎo)致關(guān)鍵的架構(gòu)變化，從而使溝道與硅襯底完全電隔離。這完全消除了任何捕獲或遷移的電子引起行錘的可能性，從而使該設(shè)計(jì)不受行錘的影響。
 
 

關(guān)鍵詞：MRAM