內(nèi)存在人工智能解決方案（例如機(jī)器學(xué)習(xí)）的培訓(xùn)和實(shí)施中均扮演著關(guān)鍵角色。這也是創(chuàng)建諸如5G之類的高級(jí)網(wǎng)絡(luò)技術(shù)的要求，這將需要在網(wǎng)絡(luò)邊緣以及在端點(diǎn)處進(jìn)行處理和存儲(chǔ)以實(shí)現(xiàn)IoT和其他應(yīng)用程序。
 
如今大多數(shù)高性能內(nèi)存都是易失性的，這意味著當(dāng)設(shè)備斷電時(shí)，存儲(chǔ)在內(nèi)存中的所有內(nèi)容都會(huì)丟失。但是內(nèi)存會(huì)消耗很多功率，尤其是DRAM，這需要定期且頻繁地刷新內(nèi)存中的數(shù)據(jù)。物聯(lián)網(wǎng)等許多新應(yīng)用程序要求將連接的傳感器和其他設(shè)備放置在能量受限的情況下，依靠電池運(yùn)行或使用能量收集。在數(shù)據(jù)中心中，諸如DRAM之類的存儲(chǔ)器消耗了總功率的很大一部分。使用非易失性存儲(chǔ)器可以保留許多數(shù)據(jù)，這將使許多應(yīng)用受益，即使關(guān)閉電源也是如此。
 
對(duì)于包括人工智能推理在內(nèi)的許多物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用，物聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)并非始終處于完全活動(dòng)狀態(tài)，因此可以關(guān)閉系統(tǒng)的某些部分，直到需要時(shí)為止。使用非易失性存儲(chǔ)器可以更輕松地在不需要時(shí)關(guān)閉這些存儲(chǔ)器的電源。由于它們是非易失性的，因此可以更頻繁地關(guān)閉它們，并且掉電和上電都需要更少的時(shí)間，從而改善了系統(tǒng)性能性能，同時(shí)將功耗降至最低。
 
除了在許多嵌入式和獨(dú)立應(yīng)用中對(duì)非易失性存儲(chǔ)器的需求之外，一些新興的非易失性存儲(chǔ)器還可以擴(kuò)展到比許多常規(guī)存儲(chǔ)器更高的密度。例如，NOR閃存似乎被有效地限制為22nm或更大的光刻特征，平面NAND閃存被限制為15nm或更大的特征（這就是為什么大容量NAND正在轉(zhuǎn)向3D結(jié)構(gòu)的原因），當(dāng)然還有sram， 5-6個(gè)晶體管占用了半導(dǎo)體芯片上的大量空間。 DRAM的密度縮放也受晶體管尺寸的限制。
 
由于這些原因，許多主要的半導(dǎo)體代工廠都提供MRAM作為嵌入式應(yīng)用程序的非易失性存儲(chǔ)器。 MRAM可以替代NOR或SRAM，以在設(shè)備上提供更高密度的非易失性存儲(chǔ)器。用MRAM替換SRAM可以使AI推理引擎具有更多內(nèi)存（并引導(dǎo)非易失性內(nèi)存）以存儲(chǔ)經(jīng)過(guò)訓(xùn)練的模型。


Everspin MRAM

型號(hào)	容量	位寬	電壓(V)	溫度	封裝	MOQ /卷帶
MR25H40CDC	4Mb	512Kx8	3.3V	-40℃to+85℃	8-DFN	4,000
MR20H40CDF	4Mb	512Kx8	3.3V	-40℃ to +85℃	8-DFN sf	4,000
MR25H40CDF	4Mb	512Kx8	3.3V	-40 ℃to +85℃	8-DFN sf	4,000
MR25H40MDF	4Mb	512Kx8	3.3V	-40℃ to +125℃	8-DFN sf	4,000
MR25H10CDC	1Mb	128Kx8	3.3V	-40℃ to +85℃	8-DFN	4,000
MR25H10MDC	1Mb	128Kx8	3.3V	-40℃ to +125℃	8-DFN	4,000
MR25H10CDF	1Mb	128Kx8	3.3V	-40℃ to +85℃	8-DFN sf	4,000
MR25H10MDF	1Mb	128Kx8	3.3V	-40℃ to +125℃	8-DFN sf	4,000
MR25H256CDC	256Kb	32Kx8	3.3V	-40℃ to +85℃	8-DFN	4,000
MR25H256MDC	256Kb	32Kx8	3.3V	-40℃ to +125℃	8-DFN	4,000
MR25H256CDF	256Kb	32Kx8	3.3V	-40℃ to +85℃	8-DFN sf	4,000
MR25H256MDF	256Kb	32Kx8	3.3V	-40℃ to +125℃	8-DFN sf	4,000

關(guān)鍵詞：SRAM   MRAM