SRAM回歸主流設(shè)計(jì)的動力非常耐人尋味，力圖取代SRAM的潮流忽然發(fā)生逆轉(zhuǎn)。英特爾決定嵌入SRAM，這在當(dāng)時(shí)是個(gè)非常英明的決策。SRAM不僅成本效益更高，而且還是技術(shù)一流的解決方案。與外部SRAM相比，嵌入式SRAM的存取時(shí)間更為出色，要知道對于高速緩存存儲器而言，存取時(shí)間是最關(guān)鍵的因素。
　　
自那時(shí)起到現(xiàn)在，處理器功能變得更加強(qiáng)大，而且尺寸越來越小。隨著處理器的功能日漸強(qiáng)大，它們要求高速緩存存儲器性能也要有大幅改善。隨著每一代新工藝節(jié)點(diǎn)的問世，不斷增大嵌入式高速緩存存儲器的容量成為一項(xiàng)越來越艱巨的挑戰(zhàn)。SRAM擁有六晶體管架構(gòu)(邏輯區(qū)一般為四晶體管/單元)。這意味著隨著工藝節(jié)點(diǎn)的縮小，每平方厘米的晶體管數(shù)量將會極高。這樣的高晶體管容量可能導(dǎo)致許多問題，包括：
　　
發(fā)生軟錯(cuò)誤的幾率增大：隨著工藝技術(shù)從130nm縮小到22nm，軟錯(cuò)誤率預(yù)計(jì)將增長七倍。
　　
產(chǎn)量降低：由于晶體管容量增大，加上位單元不斷縮小，SRAM的面積更容易受工藝變化所造成的瑕疵的影響。這種瑕疵會降低處理器芯片的總產(chǎn)量。
　　
功耗增加：如果SRAM位單元必須與邏輯位單元的大小相同，那么SRAM晶體管的尺寸就需要縮小到小于邏輯晶體管。而晶體管尺寸的縮小會導(dǎo)致漏電流增大，最終導(dǎo)致待機(jī)功耗增大。
　　
有兩種途徑可以解決這個(gè)問題。一種方法是為處理器中或片上系統(tǒng)中的SRAM面積和邏輯面積采用不同的工藝技術(shù)節(jié)點(diǎn)。但這樣做的后果則是處理器的大部分面積由SRAM構(gòu)成。如果是這樣縮小處理器芯片的理由就無法成立。另一種方法則是把SRAM與處理器或控制器分開。有一些技術(shù)創(chuàng)新實(shí)際上正在加快這種替代方案的實(shí)現(xiàn)。

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 關(guān)鍵詞：SRAM