MRAM是一種非易失性的磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，是一種基于隧穿磁阻效應(yīng)的技術(shù)，屬于當(dāng)前新型存儲(chǔ)器技術(shù)之一。
 
    從特性上看，MRAM具備讀寫次數(shù)無(wú)限、寫入速度快（寫入時(shí)間可低至2.3n）、功耗低、和邏輯芯片整合度高等特點(diǎn)，產(chǎn)品主要適用于容量要求低的特殊應(yīng)用領(lǐng)域以及新興的IoT嵌入式存儲(chǔ)領(lǐng)域。
 
    從主流的MRAM技術(shù)來(lái)看，MRAM技術(shù)包括嵌入式磁阻RAM（MRAM）、自旋傳遞扭矩MRAM（STT-MRAM）、SOT-MRAM（自旋軌道扭矩磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器）。目前MRAM主要以美國(guó)半導(dǎo)體大廠EverspinTechnologies推出的STT-MRAM（垂直混合自旋扭矩轉(zhuǎn)換磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器）為代表。據(jù)悉，Everspin公司已量產(chǎn)MRAM產(chǎn)品。
 
    其中，STT-MRAM使用隧道層的“巨磁阻效應(yīng)”來(lái)讀取位單元，當(dāng)該層兩側(cè)的磁性方向一致時(shí)為低電阻，當(dāng)磁性方向相反時(shí)，電阻會(huì)變得很高。與其他新興存儲(chǔ)技術(shù)相比，STT-MRAM耐用性較為出色，并且存儲(chǔ)速度極快，還被認(rèn)為是最高級(jí)的緩存存儲(chǔ)器。
 
    SOT-MRAM（自旋軌道扭矩磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器），采用三端式MTJ結(jié)構(gòu)，將讀取和寫入路徑分開，通過(guò)分離讀寫路徑，提供更高的耐用性。


本文關(guān)鍵詞：MRAM

上一篇文章：2024年MCU有望迎來(lái)回溫

宇芯有限公司自成立以來(lái)，我們專注于代理國(guó)內(nèi)外各大知名品牌的半導(dǎo)體元器件，代理品牌有NETSOL、JSC、everspin代理、來(lái)?xiàng)頛yontek、ISSI、CYPRESS，VTI等多個(gè)品牌總代理資質(zhì)，主要產(chǎn)品線為sram、mram、psram等其他存儲(chǔ)器芯片，致力于為客戶提供具有競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)的產(chǎn)品，是一家專業(yè)提供存儲(chǔ)方案解決商。